ITO靶材是一種N型半導體材料，具有高的導電率，優(yōu)異的可見光透過率，由氧化銦和氧化錫粉末按照一定比例混合后，經過一系列的生產工藝加工成型，再高溫燒結形成的黑灰色陶瓷半導體材料。ITO靶材的燒結技術主要由以下幾種：常壓燒結法、熱壓法、熱等靜壓法（HIP）、微波燒結法、放電等離子燒結法等。
ITO旋轉靶采用常壓燒結工藝，綁定在背管上制得，尺寸及比例根據客戶要求定制。
ITO平面靶根據尺寸大小，一般采用常壓燒結和熱等靜壓工藝，綁定在背板上制得，尺寸及比例根據客戶要求定制。
純度：99.99%；電阻率（20°C）：≤ 1.8Ω.cm；失氧率：≤0.5%；
常用比例：In2O3:SnO2=90:10（wt%）、In2O3:SnO2=95:5（wt%）、In2O3:SnO2=97:3（wt%）。
應用領域：平板顯示器、太陽能電池、集成電路、磁記錄和光記錄。
詳細資料點擊下載
